特點
高通量的斷面研磨配備斷面研磨能力達到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質材料，也可以高效地制備出斷面樣品。 *2 在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時時的最大深度
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斷面研磨● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構成的復合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品 ● 優化加工條件，減輕損傷 ● 可裝載最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品 斷面研磨的主要用途● 制備金屬以及復合材料、高分子材料等各種樣品的斷面 ● 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面 ● 制備評價、觀察和分析所用的沉積層界面以及結晶狀態的斷面 |
斷面研磨加工原理圖 |
平面研磨（Flat Milling®）● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍 ● 可運用于符合其目的的廣泛領域 ● 最大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品 ● 可選擇旋轉和擺動（±60度～±90度的翻轉）2種加工方法
平面研磨（Flat Milling®）的主要用途● 去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變 ● 去除樣品的表層 ● 消除FIB加工的損傷
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平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖 |
與日立SEM的樣品結合● 樣品無需從樣品臺取下，就可直接在SEM上進行觀察。 ● 在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據需要進行再加工。
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功能
冷卻溫度調節功能*1
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該功能可有效防止加工過程中，由于離子束照射引發的樣品的溫度上升，所導致樣品的溶解和變形。對于過度冷卻后會產生開裂的樣品，通過冷卻溫度調節功能可防止其因過度冷卻而產生開裂。
*1 此調節功能不是IM4000PLUS的標配功能，而是配有冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS功能。 |
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樣品：鉛焊料 |
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選項大氣隔離樣品桿大氣隔離樣品桿，可讓樣品在不接觸空氣的狀態下進行研磨。 *1 僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。 *2 僅支持真空型日立AFM。 鋰離子電池負極（充電后） |
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大氣暴露 |
大氣隔離 |
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用于加工時觀察的立體顯微鏡IM4000、IM4000PLUS通過設置在樣品室上方的立體顯微鏡，可觀察到研磨過程中的樣品。 *3 CCD攝像頭以及監控器由客戶準備。
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| 規格 | |
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項目 |
內容 | |
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IM4000PLUS |
IM4000PLUS |
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斷面研磨桿 |
平面研磨桿 |
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使用氣體 |
Ar（氬）氣 |
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加速電壓 |
0 ～ 6 kV |
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最大研磨速度（Si材料） |
500 µm/hr*1 以上 |
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最大樣品尺寸 |
20（W）× 12（D）× 7（H）mm |
Φ50 × 25（H） mm |
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離子束 |
標配 |
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尺寸 |
616（W）× 705（D）× 312（H）mm |
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重量 |
機體48 kg＋回轉泵28 kg |
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附冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS |
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冷卻溫度調節功能 |
通過液氮間接冷卻樣品、溫度設定范圍：0°C ～ －100°C |
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選項 |
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空氣隔離 |
僅支持斷面研磨夾持器 |
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FP版斷面研磨夾持器 |
100 µm/rotate*2 |
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用于加工監控的顯微鏡 |
倍率 15 × ～ 100 × 雙目型、三目型（支持CCD） |
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*1 將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時的最大深度 *2 千分尺旋轉1圈時的遮擋板移動量。斷面研磨夾持器比為1/5 |
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觀察示例
斷面研磨如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器，則可以3小時內制備出平滑的斷面。 樣品：陶瓷電容器 |
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低倍圖像 |
放大圖像 |
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即使硬度和成分不同的多層結構材料，也可以制備斷面。 樣品：保險杠涂膜 |
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低倍圖像 |
放大圖像 |
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這是通過鋰電池正極材料，斷面研磨獲得平滑截面的應用實例。 樣品：鋰離子電池正極材料 樣品制備方法：斷面研磨
平面研磨（Flat Milling）可以去除機械研磨所引起的研磨損傷和塌邊，并可觀察到金屬層、合金層和無鉛焊料的Ag分布。 樣品：無鉛焊料 |
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機械研磨后 |
平面研磨后 |
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因老化等變得臟污的觀察面、分析面，通過平面研磨，也可以獲得清晰的通道對比度圖像和EBSD模式。 樣品：銅墊片
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