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> 反應離子刻蝕
日本SAMCO RIE等離子蝕刻設備 RIE-10NR
RIE-10NR是一種新型的低成本、高性能、全自動反應離子刻蝕系統(tǒng),能夠滿足非腐蝕性氣體化學最苛刻的工藝要求。 計算機化觸摸屏為工藝配方編程和存儲提供了用戶友好的界面。該系統(tǒng)可以實現(xiàn)精確的側壁輪廓控制和材料之間的高蝕刻選擇性。憑借其圓滑、緊湊的設計,RIE-10NR只需要很小的潔凈室空間。
型號:
RIE-10NR
發(fā)布時間:2023-08-07
日本SAMCO ICP-RIE等離子體蝕刻設備 RIE-800iP
RIE-800iP是一種高性能ICP(電感耦合等離子體)蝕刻系統(tǒng),它使用高密度等離子體來執(zhí)行光電器件和電子元件所需的化合物半導體或介電膜蝕刻.
型號:
RIE-800iP
發(fā)布時間:2024-02-03
日本SAMCO 深硅蝕刻設備 RIE-400iP
The RIE-400iP是一種高性能電感耦合等離子體(ICP)蝕刻系統(tǒng),它使用高密度等離子體來執(zhí)行光電器件和電子元件所需的化合物半導體蝕刻。
型號:
RIE-400iP
發(fā)布時間:2024-02-03
Oxford RIE反應離子刻蝕機PlasmaPro 80
PlasmaPro 80是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質量的工藝。
型號:
PlasmaPro 80 RIE
發(fā)布時間:2023-03-01
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